隨著(zhù)“雙碳”目標持續推進(jìn)，節能降碳已經(jīng)成為大勢所趨，國內功率半導體積極布局低碳產(chǎn)品線(xiàn)，不斷加大低碳類(lèi)項目投入，深化低碳芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，助力“雙碳”目標早日實(shí)現。

在眾多產(chǎn)品中，寬禁帶半導體被認為是具有廣闊發(fā)展前景的市場(chǎng)。雖然當前碳化硅、氮化鎵器件相較于硅器件的價(jià)格仍較高，但綜合來(lái)看，應用寬禁帶半導體器件將給系統帶來(lái)巨大的綜合收益。

面對新的增長(cháng)機遇，華微電子牢牢抓住機會(huì )，堅定不移地走“低碳”路線(xiàn)，努力為其發(fā)展鋪就一條硬科技綠色通道。目前，華微電子寬禁帶產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)勢頭強勁。

眾所周知，寬禁帶半導體具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)強度大、飽和電子漂移速度高、介電常數小以及良好的化學(xué)穩定性等特點(diǎn)，特別是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)的材料具有更高的電子遷移率，使得器件具有低的導通電阻、高的工作頻率，能滿(mǎn)足下一代電子裝備對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。

在GaN(氮化鎵)器件方面，華微電子已開(kāi)發(fā)出650V功率器件，用于消費類(lèi)電源領(lǐng)域。對于SiC(碳化硅)器件，華微電子已經(jīng)完成650V～1200VSiC二極管的開(kāi)發(fā)，產(chǎn)品處于量產(chǎn)階段；同時(shí)正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推廣，向汽車(chē)充電樁、汽車(chē)OBC(車(chē)載充電器)和光伏儲能領(lǐng)域進(jìn)行推廣。

華微電子將在未來(lái)的工作中繼續大力發(fā)展寬禁帶半導體，全力迎接低碳賽道的各項挑戰。

據了解，吉林華微電子股份有限公司是一家集功率半導體器件設計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)為一體的國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司歷經(jīng)50多年的成長(cháng)與積淀，已經(jīng)探索出一條具有華微特色的技術(shù)創(chuàng )新路線(xiàn)。近年來(lái)，公司通過(guò)自主創(chuàng )新、產(chǎn)學(xué)研合作、引進(jìn)消化吸收等多種形式使產(chǎn)品技術(shù)不斷升級換代，形成了獨特的核心競爭能力，擁有各項專(zhuān)利技術(shù)百余項，核心Knowhow技術(shù)百余項。成為國內第一批將 MOSFET、FRD、IGBT 產(chǎn)業(yè)化的半導體分立器件制造企業(yè)，帶動(dòng)了國內功率半導體分立器件產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展水平。目前，公司IGBT及功率模塊、MOSFET、FRD、SBD產(chǎn)品性能達到國際先進(jìn)水平，廣泛應用于工業(yè)控制、光伏及儲能、汽車(chē)電子、智能家居等領(lǐng)域，產(chǎn)品銷(xiāo)售額居于國內企業(yè)前列。