在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內存模組的兩倍，功耗降低10%，且無(wú)需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內存模組

　　此次新品為實(shí)現高達1TB容量的內存模組奠定了基礎

　　隨著(zhù)12納米級內存產(chǎn)品陣容的擴展，三星將持續為AI，下一代計算等多行業(yè)的各種應用提供支持

　　2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM：五代雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器)。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jì)却鏁r(shí)代的新篇章。

三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(1)

　　"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實(shí)現1TB內存模組的解決方案，這有助于滿(mǎn)足人工智能和大數據時(shí)代對于大容量DRAM內存日益增長(cháng)的需求?！比请娮哟鎯ζ魇聵I(yè)部?jì)却骈_(kāi)發(fā)組執行副總裁SangJoon Hwang表示，“我們將通過(guò)差異化的工藝與設計技術(shù)，繼續研發(fā)內存解決方案，以突破內存技術(shù)的瓶頸。"

　　三星自1983年開(kāi)發(fā)出首款64千比特(Kb)的內存以來(lái)，在過(guò)去的40年間將內存容量提高了50萬(wàn)倍。最新開(kāi)發(fā)的32Gb DDR5內存顆粒，采用前沿的工藝技術(shù)，提高了集成密度并優(yōu)化了封裝設計，與DDR5 16Gb顆粒相比，在相同封裝尺寸情況下，三星單片DRAM內存顆粒容量翻倍。

　　尤其是，過(guò)去使用16Gb內存顆粒制造的DDR5 128GB內存模組需要采用硅通孔(TSV)工藝。而現在，通過(guò)使用最新開(kāi)發(fā)的32Gb內存顆粒，即使不使用硅通孔(TSV)工藝也能夠生產(chǎn)128GB內存模組。與使用16Gb內存封裝的128GB內存模組相比，其功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數據中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。

三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(2)

　　以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎，三星計劃繼續擴充大容量?jì)却娈a(chǎn)品陣容，以滿(mǎn)足高性能計算和IT行業(yè)持續增長(cháng)的需求。通過(guò)向數據中心，以及采用人工智能和下一代計算等應用的客戶(hù)提供12納米級的32Gb內存，三星希望鞏固其在下一代內存市場(chǎng)的前沿地位。未來(lái)，該產(chǎn)品還將在三星與其他核心行業(yè)伙伴的長(cháng)期合作中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

　　全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開(kāi)始量產(chǎn)。

　　關(guān) 于三星 電 子

　　三星以不斷創(chuàng )新的思想與技術(shù)激勵世界、塑造未來(lái)。重新定義電視、智能手機、可穿戴設備、平板電腦、數碼電器、網(wǎng)絡(luò )系統、存儲、系統集成電路、半導體代工制造及LED解決方案。